Транзистором (від TRANSfer resISTOR- такий, що перетворює опір) називається напівпровідниковий перетворювальний прилад, що має декілька p-n переходів, три або більше виводів і здатний підсилювати потужність електричного сигналу.
За принципом дії транзистори розділяються на біполярні (БТ) та польові (уніполярні) (ПТ).
Умовні графічні позначення (УГП) транзисторів та їх класифікацію за принципом дії приведено в таблиці 1.
Таблиця.1
Тип приладу
Умовне графічне
Позначення
(УГП)
Біполярні
Біполярний p-n-p типу
Біполярний n-p-n типу
Польові
З керуючим
p-n переходом
З каналом p-типу
З каналом n-типу
З ізольованим
засувом
МОН транзистори
З вбудованим
каналом
Вбудований канал р-типу
Вбудований канал n-типу
З індукованим
каналом
Індукований канал р-типу
Індукований канал n-типу
Класифікація транзисторів здійснюється за наступними ознаками:
· за матеріалом напівпровідника: германієві або кремнієві та сполуки галію. У позначенні транзисторів це фіксується літерами К, Г, А або відповідно цифрами 1,2,3.
· за типом провідності областей (тільки біполярні транзистори): із прямою провідністю (p-n-p структура) або зі зворотною провідністю (n-p-n структура);
· технологією виготовлення;
· особливостями роботи;
· призначенням;
· за потужністю: малопотужні МП ( 20,3 Вт), середньої потужності СрП(0,3÷3Вт), потужні П ( 3 Вт);
· діапазоном робочих частот: низької частоти НЧ (<3 мГц), середньої частоти СрЧ (3÷30 МГц), високої частоти ВЧ ( 30 мГц).
Найчастіше в технічній літературі та довідниках транзистори класифікують за допустимою потужністю розсіювання та граничною частотою. У позначенні БТ транзисторів це відображають класифікаційним номером (одна цифра), який розташовують безпосередньо після літери Т (біполярний транзистор) або П (польовий транзистор). В таблиці 2 приведено класифікацію транзисторів за потужністю і граничною частотою.
Таблиця 2
P/f
< 3 МГц НЧ
(3…30) МГц Cp.Ч
> 30 МГц ВЧ і НВЧ
МП < 0,3Вт
CpП 0,3…3 Вт
П > 3Вт
Позначення транзисторів складається із чотирьох елементів: перший (цифра або букви) вказує на матеріал напівпровідника; другий (буква) – тип транзистора за принципом дії; третій (цифри) – тип транзистора за електричними параметрами; четвертий (буква) – різновидність даного типу.
Приклад:
I – матеріал напівпровідника: Г-германій, К-кремній
ІІ – тип транзистора за принципом дії. Т-біполярні, П – польові
ІІІ – три або чотири цифри – група транзисторів за електричними параметрами. Перша цифра показує частотні властивості та потужність відповідно до табл.2.
IV– модифікація транзисторів в 3-й групі.
Наприклад, КТ201В є кремнієвим БТ широкого вжитку малої потужності, середньої частоти; номер розробки-01, різновид-В.