Структура МНОП - транзисторів з плаваючим затвором
P-n-p
Б
Область , що має більшу площу pn переходу , і висновок від неї називають колектором.
Область , що має меншу площу pn переходу , і висновок від неї називають емітером .
pn перехід між колектором і базою називають колекторним переходом , а між емітте -
ром і базою - емітерний переходом .
Напрямок стрілки в транзисторі показує напрямок викликаного струму . основний
особливістю пристрою біполярних транзисторів є нерівномірність концентрації
основних носіїв зарядів у емітер , базі і колекторі. У емітері концентрація носи -
телей заряду максимальна . У колекторі - дещо менше , ніж у емітер . У базі - під
багато разів менше , ніж у емітер і колекторі (малюнок 62).
Э Б К
Рис . 62
3) Принцип дії біполярних транзисторів. При роботі транзистора в усилительном
режимі емітерний перехід відкритий, а колекторний - закритий. Це досягається відповідаю-
щим включенням джерел живлення.
Так як емітерний перехід відкритий, то через нього буде протікати струм емітера, викликаний
переходом електронів з емітера в базу і переходом дірок з бази в емітер. слідчий-
але, струм емітера матиме дві складові - електронну і діркову. ефективність
емітера оцінюється коефіцієнтом інжекції:
(0,999)
Iэ = Iэ.п. + Iэ.р.
Інжекцією зарядів називається перехід носіїв зарядів з області , де вони були основними -
ми в область , де вони стають неосновними . У базі електрони рекомбінують , а їх кон-
центрация в базі поповнюється від « +» джерела Ее , за рахунок чого в ланцюзі бази буде протікати
дуже малий струм . Решта електрони , які не встигли рекомбінувати в базі , під прискорюю -
щим дією поля закритого колекторного переходу як неосновні носії будуть пере-
ходити в колектор , утворюючи струм колектора. Перехід носіїв зарядів з області , де вони
були основними , в область , де вони стають основними , називається екстракцією зоря -
дов. Ступінь рекомбінації носіїв зарядів в базі оцінюється коефіцієнтом переходу
носіїв зарядів δ :
Основное соотношение токов в транзисторе:
α - коефіцієнт передачі струму транзистора або коефіцієнт посилення по струму:
Дірки з колектора як неосновні носії зарядів будуть переходити в базу, утворюючи
зворотний струм колектора Iкбо.
З трьох висновків транзистора на один подається вхідний сигнал, з другого - знімається ви-
Ходна сигнал, а третій висновок є загальним для вхідний і вихідний ланцюга. Таким чином,
розглянута вище схема отримала назву схеми із загальною базою.
Напруга в транзисторних схемах позначається двома індексами в залежності від того,
між якими висновками транзистора ці напруги вимірюються.
Рис65
Так як всі струми і напруги в транзисторі, крім постійної складової мають ще
і змінну складову, то її можна представити як прирощення постійної складу-
ляющие і при визначенні будь-яких параметрів схеми користуватися або змінної склад-
ляющие струмів і напруг, або приростом постійної складової.
де Ік, Iе - змінні складові колекторного і емітерного струму,
ΔIк, ΔIе - постійні складові
Схеми включення
біполярних транзисторів
Схеми включення транзисторів отримали свою назву залежно від того, який з ви -
водів транзисторів буде загальним для вхідний і вихідний ланцюга.
1 ) Схема включення із загальною базою ОБ
2 ) Схема включення з загальним емітером ОЕ
3 ) Схема включення з загальним колектором ОК
4 ) Підсилювальні властивості біполярного транзистора.
1 ) Схема включення із загальною базою ( дивіться малюнок 64). Будь схема включення транзит-
стору характеризується двома основними показниками:
- Коефіцієнт посилення по струму Iвих / Iвх ( для схеми із загальною базою Iвих / Iвх = Ік / Iэ = α [ α < 1 ] )
Вхідний опір Rвхб = Uвх / Iвх = Uбэ / Iэ .
Вхідний опір для схеми із загальною базою мало і складає десятки Ом , так як вхід -
ная ланцюг транзистора при цьому представляє собою відкритий емітерний перехід транзісто -
ра . Недоліки схеми із загальною базою:
Схема не підсилює струм α < 1
Малий вхідний опір
Два різних джерела напруги для живлуння
Переваги - хороші температурні і частотні властивості .
2 ) Схема включення з загальним емітером . Ця схема , зображена на малюнку 66 , являють -
ся найбільш поширеною , так як вона дає найбільше посилення по потужності.
Р Iвх = Iб
Iвых = Iк
Uвх = Uбэ
Uвых = Uкэ
β = Iвых / Iвх = Iк / Iб (n: 10÷100)
Rвх.э = Uвх / Iвх = Uбэ / Iб [Ом] (n: 100÷1000)
Коефіцієнт посилення по струму такого каскаду являє собою відношення амплітуд (або
діючих значень ) вихідного і вхідного змінного струму , тобто змінних склад -
ляющих струмів колектора і бази. Оскільки струм колектора в десятки разів більше струму
бази , то коефіцієнт посилення по струму становить десятки одиниць.
Коефіцієнт посилення каскаду по напрузі дорівнює відношенню амплітудних або дію-
щих значень вихідного і вхідного змінної напруги . Вхідним є змінне
напруга база - емітер Uбе , а вихідним - змінну напругу на резисторі навантаження
Rн або , що те ж саме , між колектором і емітером - Uке :
Напруга база - емітер не перевищує десятих часток вольта , а вихідна напруга при
достатньому опорі резистора навантаження і напрузі джерела Ек досягає оди-
ниць , а в деяких випадках і десятків вольт. Тому коефіцієнт посилення каскаду по
напрузі має значення від десятків до сотень. Звідси випливає , що коефіцієнт зусилля-
ня каскаду по потужності виходить рівним сотням , або тисячам , або навіть десяткам ти -
сяч. Цей коефіцієнт представляє собою відношення вихідної потужності до вхідних . каж -
дая з цих потужностей визначається половиною твори амплітуд відповідних то -
ков і напруг . Вхідний опір схеми з загальним емітером мало ( від 100 до 1000
Ом). Каскад за схемою ОЕ при посиленні перевертає фазу напруги, тобто між вихід -
вим і вхідним напругою мається фазовий зсув 180 °.
Переваги схеми із загальним емітером :
Великий коефіцієнт посилення по струму
Бóльшее , ніж у схеми із загальною базою , вхідний опір
Для живлення схеми потрібні два однополярних джерела , що дозволяє на практиці
обходитися одним джерелом живлення.
Недоліки : гірші , ніж у схеми із загальною базою , температурні і частотні властивості . одна -
ко за рахунок переваг схема з ОЕ застосовується найбільш часто.
3 ) Схема включення з загальним колектором.
Iвх = Iб
Iвых = Iэ
Uвх = Uбк
Uвых = Uкэ
Iвых / Iвх = Iэ / Iб = (Iк + Iб) / Iб = β + 1 = n
n = 10 … 100
Rвх = Uбк / Iб = n (10÷100) кОм
Рис67
У схемі з ОК ( дивіться малюнок 67 ) колектор є спільною точкою входу і виходу , по-
кільки джерела живлення Еб і Ек завжди шунтовані конденсаторами великої місткості і
для змінного струму можуть вважатися короткозамкненими . Особливість цієї схеми в
тому, що вхідна напруга повністю передається назад на вхід , т. з . дуже сильна від -
ріцательно зворотний зв'язок. Неважко бачити , що вхідна напруга дорівнює сумі змін -
ного напруги база - емітер Uбе і вихідної напруги. Коефіцієнт посилення по струму
каскаду з загальним колектором майже такий же , як і в схемі з ОЕ , тобто дорівнює кільком
десяткам . Однак , на відміну від каскаду з ОЕ , коефіцієнт посилення по напрузі схеми з
ОК близький до одиниці , причому завжди менше її . Змінна напруга , подане на вхід
транзистора , посилюється в десятки разів (так само, як і в схемі ОЕ) , але весь каскад НЕ
дає підсилення. Коефіцієнт посилення по потужності дорівнює приблизно кільком десяткам .
Розглянувши полярність змінних напруг у схемі , можна встановити, що фазового
зсуву між U вих і Uвх немає. Значить , вихідна напруга збігається по фазі з вхідним і
майже дорівнює йому . Тобто , вихідна напруга повторює вхідний . Саме тому даний
каскад зазвичай називають емітерний повторювачем і зображують схему так , як показано на
малюнку 68 .
Емітерним - тому, що резистор навантаження включений у провід виведення емітера і вихідна
напруга знімається з емітера (щодо корпусу) . Так як вхідні ланцюг являє
собою закритий колекторний перехід , вхідний опір каскаду за схемою ОК склад -
ляє десятки килоом , що є важливою перевагою схеми . вихідний опір
схеми з ОК , навпаки , виходить порівняно невеликим , зазвичай одиниці килоом або
сотні ом . Ці гідності схеми з ОК спонукають використовувати її для узгодження раз -
особистих пристроїв по вхідному опору .
Недоліком схеми є те , що вона не посилює напругу - коефіцієнт посилення
трохи менше 1 .
4 ) Підсилювальні властивості біполярного транзистора. Незалежно від схеми включення ,
транзистор характеризується трьома коефіцієнтами підсилення:
KI = Iвих / Iвх - по струму ;
KU = U вих / Uвх = ( Iвих ∙ Rн ) / ( Iвх ∙ Rвх ) = KI ∙ Rн / Rвх - по напрузі ;
KP = Pвих / Pвх = ( U вих ∙ Iвих ) / ( Uвх ∙ Iвх ) = KI ∙ KU - по потужності.
Для схеми із загальною базою:
KI = Ік / Iе = α ( α < 1 )
Е. А. Моськатов . Стор. 35
KU = α ∙ ( Rн / Rвх )
Rн ≈ n ∙ 1кОм
Rвх ≈ n ∙ 10 Ω
KU ≈ n ∙ 100
KP = KU / KI = n ∙ 100
Для схеми із загальним колектором :
KI = Iе / Іб = β + 1 = n
KU = β ∙ ( Rн / Rвх ) ≈ n
KU < 1
Для схеми із загальним емітером :
KI = Ік / Іб = β = n ( 10 ÷ 100 )
KU = β ∙ ( Rн / Rвх )
KP = KI ∙ KU = n ∙ ( 1000 ÷ 10000 )
Робота підсилювального каскаду з транзистором відбувається наступним чином. Уявімо
транзистор змінним резистором ro , послідовно з яким включено навантажувальний
опір Rн і джерело живлення Е. Напруга джерела Е ділиться між сопротив -
ленням навантаження RH і внутрішнім опором транзистора ro , яке він робить посто -
янному току колектора. Це опір наближено дорівнює опору колектор -
ного переходу транзистора для постійного струму. Насправді до цього опираючись-
нию ще додаються невеликі опору емітерного переходу , а також n - і p -об-
ластей , але ці опору можна не брати до уваги.
Якщо у вхідні ланцюг включається джерело коливань , то при зміні його напруги
змінюється струм емітера , а отже , опір колекторного переходу . тоді
напруга джерела Е буде перерозподілятися між Rн і ro . При цьому змінна
напруга на резисторі навантаження може бути отримано в десятки разів більшим , ніж вхід -
ве змінну напругу . Зміни струму колектора майже рівні змін струму Еміт-
тера і у багато разів більше змін струму бази. Тому в даній схемі получа -
ється значне посилення струму і дуже велике посилення потужності. Посилена мощ -
ність є частиною потужності, що витрачається джерелом Е.
Статичні характеристики
транзисторів
1 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ПРО
2 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ОЕ
1 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ПРО . Статичним режимом робо -
ти транзистора називається такий режим , при якому зміна вхідного струму або напря-
вання не викликає зміна вихідної напруги . Статичні характеристики каска -
да , включеного за схемою з ПРО , вимірюються за загальною схемою , зображеної на малюнку 69 .
Статичні характеристики транзисторів бувають двох видів: вхідні і вихідні.
1 ) Вхідна характеристика . Iвх = f (Uвх ) при U вих = const
Вхідні характеристики - це залежність вхідного струму від вхідної напруги при посто -
янном вихідній напрузі .
Iвх = f (Uвх ) при U вих = const
Iе = f ( Uбе ) при Uбк = const
Вхідні характеристики являють собою пряму гілку відкритого pn переходу . При збіль-
ліченіі вихідної напруги Uке носії заряду швидше пролітають базу , рекомбінують -
ють , отже , і струм бази зменшується. Тому характеристика при Uке > 0 буде прохо-
дить нижче.
Для схеми включення з загальним емітером Iвих = f ( U вих ) при Iвх = Const , Ік = f ( Uке ) при Іб = Const
дані ілюстрації Рис . 70 - 72.
Резистором R1 ( дивіться схему Рис . 69 ) змінюється напруга база- емітер , а резистором
R2 підтримується постійним Uбк . Зазвичай вхідні характеристики вимірюються при двох
значеннях постійної напруги Uбк ( дивіться Рис . 73 , а).
Вхідні характеристики являють собою пряму гілку відкритого емітерного переходу .
2 ) Вихідна характеристика . Ця залежність вихідного струму від вихідної напруги
при постійному вхідному струмі.
Для схеми включення із загальною базою Ік = f ( Uбк ) при Iе = Const дана ілюстрація Рис . 74 , з ко-
торою видно , що вихідні характеристики являють собою прямі лінії , майже парал -
лельного осі напруги.
Це пояснюється тим , що колекторний перехід закритий незалежно від величини напруги
база- колектор , і струм колектора визначається тільки кількістю носіїв заряду , прохо-
дящих з емітера через базу в колектор , тобто струмом емітера.
2 ) Статичні характеристики транзистора за схемою ОЕ
На малюнку 75 зображена схема установки для вимірювання статичних характеристик транзит-
стору , включеного за схемою з ОЕ.
Iвх = f (Uвх ) при U вих = Const
Іб = f ( Uбе ) при Uке = Const
Ілюстрація вхідних характеристик приведена на Рис. 73 , б .
Динамічний режим
роботи транзистора
1 ) Поняття про динамічному режимі
2 ) Динамічні характеристики і поняття робочої точки
3 ) Ключовий режим роботи транзистора
1 ) Поняття про динамічному режимі .
Динамічним режимом роботи транзистора називається такий режим , при якому у вихід -
ної ланцюга варто навантажувальний резистор , за рахунок якого зміна вхідного струму або напря-
вання буде викликати зміна вихідної напруги .
На Рис . 76 резистор Rк - це колекторна навантаження для транзистора , включеного за схемою з
ОЕ , що забезпечує динамічний режим роботи .
ЄК = URк + Uке
URк = Ік ∙ Rк
ЄК = Uке + Ік ∙ Rк
Uке = Eк - Ік ∙ Rк - рівняння динамічного режиму роботи транзистора.
2 ) Динамічні характеристики і поняття робочої точки . Рівняння динамічної
чеського режиму є рівнянням вихідний динамічної характеристики . Так як це
рівняння лінійне , вихідна динамічна характеристика являє собою пряму чи -
нію і будується на вихідних статичних характеристиках ( дивіться Рис . 77).
Дві точки для побудови прямої знаходяться з початкових умов .
Ік при Uке = 0 називається струмом колектора насичення. Вихідна динамічна характери-
стіки отримала назву навантажувальної прямої . За навантажувальної прямої можна побудувати вхід -
ную динамічну характеристику. Але оскільки вона дуже близька до вхідних статичної ха-
характеристиці при Uке > 0 , то на практиці користуються вхідний статичною характеристикою .
Точка перетину навантажувальної прямої з однієї з гілок вихідний статичної характери-
Стік для заданого струму бази називається робочою точкою транзистора. Робоча точка позво-
ляє визначати струми і напруги , реально існуючі в схемі .
3 ) Ключовий режим роботи транзистора (транзистор в режимі ключа). В за -
висимости від стану pn переходів транзисторів розрізняють 3 види його роботи:
Режим відсічення . Це режим , при якому обидва його переходу закриті (і емітерний і
колекторний ) . Струм бази в цьому випадку дорівнює нулю. Струм колектора буде дорівнює обрат -
ному току. Рівняння динамічного режиму буде мати вигляд:
Uке = Eк - Iкбо ∙ Rк
Твір Iкбо ∙ Rк дорівнюватиме нулю. Значить , Uке → Eк .
Режим насичення - це режим , коли обидва переходу - і емітерний , і колекторний
відкриті , в транзисторі відбувається вільний перехід носіїв зарядів , струм бази буде
максимальний , струм колектора буде дорівнює струму колектора насичення.
Іб = max ; Ік ≈ Iк.н. ; Uке = Eк - Iк.н ∙ Rн
Твір Iк.н ∙ Rн буде прагнути до Eк . Значить , Uке → 0 .
Лінійний режим - це режим , при якому емітерний перехід відкритий , а колекторний
закритий.
Iб.max > Іб > 0 ;
Iк.н > Ік > Iкбо
Eк > Uке > Uке.нас
Ключовим режимом роботи транзистора називається такий режим , при якому робоча точка
транзистора стрибкоподібно переходить з режиму відсічення в режим насичення і навпаки , мі-
Резистор Rб обмежує струм бази транзистора , щоб він не перевищував максимально допу -
Стіма значення. У проміжок часу від 0 до t1 вхідна напруга і струм бази близькі до
нулю , і транзистор знаходиться в режимі відсічки. Напруга Uке , є вихідним і буде
близько до Eк . У проміжок часу від t1 до t2 вхідна напруга і струм бази транзистора
стають максимальними , і транзистор перейде в режим насичення. Після моменту вре-
мени t2 транзистор переходить в режим відсічення .
Висновок: транзисторний ключ є інвертором , тобто змінює фазу сигналу на 180 º .
Еквівалентна схема транзистора
1 ) Еквівалентна схема транзистора з ПРО
2 ) Еквівалентна схема транзистора з ОЕ
3 ) Еквівалентна схема транзистора з ОК
4 ) Транзистор як активний чотириполюсник
1 ) Еквівалентна схема транзистора з ПРО . Еквівалентна схема транзистора може
бути побудована на підставі того , що опір відкритого емітерного переходу со-
ставлять десятки Ом.
Rе = n ∙ 10 Ом
rб = n ∙ 100 Ом
rк = n ∙ ( 10 ÷ 100 ) кОм
Rвх = Rе = n ∙ 10 Ом
2 ) Еквівалентна схема транзистора з ОЕ .
3 ) Еквівалентна схема транзистора з ОК ( емітерний повторювач ) .
4 ) Транзистор як активний чотириполюсник .
Будь транзистор незалежно від схеми включення володіє рядом параметрів , які віз-
можна розбити на дві групи:
Граничні параметри - все максимальні значення
Параметри транзистора в режимі малого сигналу.
Дані параметри об'єднуються в кілька систем параметрів , які можна визна-
лити , представивши транзистор у вигляді активного чотириполюсника .
Чотириполюсником називається будь електричний пристрій , що має 2 вхідних і 2
вихідних затиску.
Активним чотириполюсником називається чотириполюсник , здатний підсилювати мощ -
ність .
Уявімо транзистор у вигляді активного чотириполюсника .
Привласнимо вхідним струму і напрузі індекс « 1 » , а вихідним індекс «2». для транзисторів
досить знати дві будь-які змінні з чотирьох - U1 , U2 , I1 , I2 . Дві інші визначаються-
ються з статичних характеристик транзистора. Змінні , які відомі або ж кото-
римі задаються , називаються незалежними змінними. Дві інші змінні , які
можна визначити , називаються залежними змінними. Залежно від того, які з
змінних будуть вибиратися у вигляді незалежних , можна отримати різні системи пара-
метрів в режимі малого сигналу.
Система h -параметрів транзистора
Y- параметри
1 ) h - параметри та їх фізичний зміст
2 ) Визначення h -параметрів по статичних характеристиках
3 ) Y- параметри транзисторів
1 ) h - параметри та їх фізичний зміст . В системі h -параметрів у вигляді незалежних
змінних прийняті вхідний струм і вихідна напруга . У цьому випадку залежні змін -
ві U1 = f ( I1 , U2 ) ; I2 = f ( I1 , U2 ) . Повний диференціал функцій U1 і I1 дорівнює
Перейдемо від нескінченно малих збільшень dU1 , dI1 , dU2 , dI2 до кінцевих приращениям . по-
лучім :
У режимі малого сигналу прирощення постійних складових ΔU1 , ΔI1 , ΔU2 і ΔI2 можна
замінити амплітудними значеннями змінних складових цих же струмів і напруг.
отримаємо :
У першому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Um2 до 0 . отримаємо :
Um1 = h11 ∙ Im1 h11 = Um1 / Im1
h11 - це вхідний опір транзистора при Um2 = 0 тобто при короткому замиканні в
вихідний ланцюга по змінному струмі ( конденсатором ) .
У першому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Im1 до 0 . отримаємо :
h12 - являє собою коефіцієнт зворотного зв'язку на холостому ходу у вхідному ланцюзі по
змінному струму. Коефіцієнт зворотного зв'язку показує ступінь впливу вихідного
напруги на вхідний ( котушкою індуктивності) .
У другому рівнянні системи ( 1 ) прирівняємо Um2 до 0 . отримаємо :
Um2 = 0
Im2 = h21 ∙ Im1
h21 = Im2 / Im1
h21 - коефіцієнт посилення по струму транзистора або коефіцієнт передачі струму при ко-
Ротко замиканні вихідний ланцюга по змінному струмі .
Прирівняємо в другому рівнянні системи ( 1 ) Im1 до 0 . отримаємо :
Im2 = h22 ∙ Um2
h22 = Im2 / Um2
h22 - вихідна провідність на холостому ходу у вхідному ланцюзі .
2 ) Визначення h -параметрів по статичних характеристиках . Так як стати-
теристики транзисторів вимірюються лише на постійному струмі , то при визначенні-
нии амплітудних параметрів струмів і напруг представимо у вигляді збільшення постійних
складових.
Величини h11 і h12 визначаються за вхідним характеристикам транзистора. Розглянемо гра-
фоаналітіческое визначення h параметрів на прикладі схеми із загальним емітером . зважаючи
того , що транзистор завжди працює з вхідним струмом , потрібно користуватися вхідними і
вихідними характеристиками ( дивіться Рис . 85 - 87). Будемо вважати , що навантажувальний опору-
тивление каскаду буде однаковим і для постійного , і для змінного струму. Необхідний h -
параметр розраховується з наведених нижче формул . З малюнків видно , що підставляла -
мі в формули дані знаходяться шляхом проекції точок на осі координат.
Параметри h21 і h22 визначаються за вихідним характеристикам ( дивіться Рис . 87).
3 ) Y- параметри транзисторів.
Параметри транзисторів є величинами , котрі характеризують їх властивості . За допомогою
параметрів можна оцінювати якість транзисторів , вирішувати завдання, пов'язані із застосуванням
транзисторів в різних схемах , і розраховувати ці схеми .
Для транзисторів запропоновано декілька різних систем параметрів , у кожної свої досто -
інство і недоліки.
Всі параметри поділяються на власні ( або первинні ) і вторинні . Власні характе-
різуют властивості самого транзистора , незалежно від схеми його включення , а вторинні пара-
метри для різних схем включення різні. Основні первинні параметри : коефіцієнти -
ент посилення по струму α , опору rб , R е , rк .
Y- параметри відносяться до вторинних параметрах . Вони мають сенс проводимостей . для
низьких частот вони є чисто активними і тому їх іноді позначають буквою g з со-
відповідними індексами.
Всі системи вторинних параметрів засновані на тому , що транзистор розглядається як
чотириполюсник ( 2 входи і 2 виходи ) . Вторинні параметри пов'язують вхідні і вихід -
ві змінні струми і напруги і справедливі тільки для малих амплітуд . Тому їх
ще називають низькочастотними малосигнальної параметрами.
Вхідна провідність : y11 = ΔI1 / ΔU1 , U2 = Const . Провідність зворотного зв'язку : y12 = ΔI1 /
ΔU2 , U1 = Const .
Параметр y12 показує , яка зміна струму I1 виходить за рахунок зворотного зв'язку при з -
менении вихідної напруги U2 на 1В. Провідність управління ( крутизна ) : y21 = ΔI2 /
ΔU1 , U2 = Const .
Величина y21 характеризує управляє вплив вхідної напруги U1 на вихідний струм
I2 і показує зміну I2 при зміні U1 на 1В. Вихідна провідність :
y22 = ΔI2 / ΔU2 , U1 = Const . У систему y -параметрів іноді додають ще статичний коеф-
фициент посилення по напрузі
μ = - ΔU2 / ΔU1 при I2 = Const . При цьому μ = y21 / y22 .
Гідність y -параметрів - їх схожість з параметрами електронних ламп. недолік -
дуже важко вимірювати y12 і y22 , т. к. треба забезпечити режим КЗ для змінного струму на вхо -
де , а що вимірює мікроамперметр має опір , порівнянне з вхідним опираючись-
ням самого транзистора. Тому набагато частіше використовують змішані ( або гібридні ) h
параметри , які зручно вимірювати і які призводять у всіх довідниках.
Температурні і частотні властивостітранзисторів. Фототранзистори
1 ) Температурне властивість транзисторів
2 ) Частотне властивість транзисторів
3 ) Фототранзистори
1 ) Температурне властивість транзисторів. Діапазон робочих температур транзистора
визначається температурними властивостями pn переходу . При його нагріванні від кімнатної
температури ( 25 º C ) до 65 º C опір бази та закритого колекторного переходу змен -
щує на 15 - 20 %. Особливо сильно нагрівання впливає на зворотний струм колектора Iкбо . він
збільшується в два рази при збільшенні на кожні 10 º C. Все це впливає на характеристики
транзистора і положення робочої точки ( дивіться Рис . 88).
Струм колектора збільшується , а напруга Uке зменшується , що рівносильно відкриванню
транзистора. Висновок: схеми включення транзисторів із загальним емітером вимагають температур -
ної стабілізації .
2 ) Частотне властивість транзисторів. Діапазон робочих частот транзистора визначаються-
ється двома факторами:
Наявність бар'єрних ємностей на pn переходах. Колекторна ємність впливає значно
сильніше , так як вона підключається паралельно великому опору ( дивіться Рис .
89).
Виникнення різниці фаз між струмами емітерами і колектора. Струм колектора від -
постає від струму емітера на час, необхідний для подолання бази носіями заряду.
1 ) ω1 = 0 , φ1 = 0
Із збільшенням частоти коефіцієнт посилення по струму зменшується. Тому для оцінки ча-
стотних властивостей транзистора застосовується один з основних параметрів - параметр граничні
ної частоти fгр . Граничною частотою називається така частота , на якій коефіцієнт усі-
лення зменшується в √ 2 разів. Коефіцієнт посилення через граничну частоту можна визна-
лити за формулою
βo - коефіцієнт підсилення на постійному струмі
f - частота , на якій визначається коефіцієнт посилення β .
3 ) Фототранзистори . Фототранзистором називається фотогальванічний приймач све-
тового випромінювання , фоточуттєвий елемент якого являє собою структуру тран-
зістора , що забезпечує внутрішнє посилення ( дивіться Рис . 93).
При висвітленні бази в ній відбувається фотогенерація носіїв зарядів . Неосновні носи -
тели заряду йдуть у колектор через закритий колекторний перехід , а основні накопичуючись -
ються в базі , підвищуючи тим самим відмикають дію емітерного переходу . Ток емітера , а
отже , струм колектора зростає. Значить , управління колекторним струмом фототран -
зістора здійснюється струмом бази транзистора.
польові транзистори
Уявлення про польових транзисторах
1 ) Пристрій і принцип дії польових транзисторів з керуючим
p - n переходом
2 ) Характеристики і параметри польових транзисторів
3 ) Польові транзистори з ізольованим затвором
4 ) Польові транзистори для ІМС , репрограмміруемом постійних запо -
Міна пристроїв ( РПЗУ )
1 ) Пристрій і принцип дії польових транзисторів з керуючим
p - n переходом . Польовим транзистором називається напівпровідниковий прилад, в якому
струм створюється тільки основними носіями зарядів під дією поздовжнього електричного
ського поля , а керуюче цим струмом здійснюється поперечним електричним полем , ко-
торое створюється напругою , прикладеним до керуючого електрода .
Кілька визначень:
Висновок польового транзистора , від якого закінчуються основні носії зарядів , нази -
ється витоком.
Висновок польового транзистора , до якого стікають основні носії зарядів , називаючи-
ється стоком.
Висновок польового транзистора , до якого прикладається управляє напруга ,
створює поперечне електричне поле називається затвором.
Ділянка напівпровідника , по якому рухаються основні носії зарядів , між pn
переходом , називається каналом польового транзистора.
Тому польові транзистори поділяються на транзистори з каналом p - типу або n - типу.
Умовне графічне зображення ( УДО ) польового транзистора з каналом n - типу зображення-
Принцип дії розглянемо на прикладі транзистора з каналом n - типу.
1 ) Uзи = 0 ; Ic1 = max ;
2 ) | Uзи |> 0 ; Ic2 < Ic1
3 ) | Uзи | >> 0 ; Ic3 = 0
На затвор завжди подається така напруга , щоб переходи закривалися. Напруга між-
ду стоком і витоком створює поздовжнє електричне поле , за рахунок якого через канал
рухаються основні носії зарядів , створюючи струм стоку.
1 ) За відсутності напруги на затворі pn переходи закриті власним внутріш -
ним полем , ширина їх мінімальна, а ширина каналу максимальна і струм стоку буде
максимальним.
2 ) При збільшенні замикаючої напруги на затворі ширина pn переходів збільшуючи-
ється , а ширина каналу і струм стоку зменшуються.
3 ) При досить великих напругах на затворі ширина pn переходів може уве-
лічіться настільки, що вони зіллються , струм стоку стане рівним нулю.
Напруга на затворі , при якому струм стоку дорівнює нулю , називається напругою відсічення .
Висновок: польовий транзистор являє собою керований напівпровідниковий прилад ,
так як , змінюючи напругу на затворі , можна зменшувати струм стоку і тому прийнято гово-
рить , що польові транзистори з керуючими pn переходами працюють тільки в режимі
збіднення каналу.
2 ) Характеристики і параметри польових транзисторів. До основних характери-
стікам відносяться:
Стокозатворная характеристика - це залежність струму стоку ( Ic ) від напруги на за -
творе ( Uсі ) для транзисторів з каналом n - типу.
Стокова характеристика - це залежність Ic від Uсі при постійній напрузі на
затворі ( дивіться Рис . 100). Ic = f ( Uсі ) при Uзи = Const
Основні параметри:
1 ) Напруга відсічення .
2 ) Крутизна стокозатворной характеристики . Вона показує , на скільки міліампер вимірюв-
нітся струм стоку при зміні напруги на затворі на 1В.
3 ) Внутрішній опір (або вихідна ) польового транзистора.
4 ) Вхідний опір.
Так як на затвор подається тільки замикає напруга , то струм затвора представлятиме
собою зворотний струм закритого pn переходу і буде дуже малий. Величина вхідного сопротив -
лення Rвх буде дуже велика і може досягати 109 Ом.
3 ) Польові транзистори з ізольованим затвором. Дані прилади мають за -
твор у вигляді металевої плівки , яка ізольована від напівпровідника шаром діелектричної
ка , у вигляді якого застосовується окис кремнію. Тому польові транзистори з ізольований -
вим затвором називають МОП і МДП. Абревіатура МОП розшифровується як метал ,
окис , напівпровідник. МДП розшифровується як метал , діелектрик , напівпровідник.
МОП - транзистори можуть бути двох видів:
Транзистори з вбудованим каналом
Транзистори з індукованим каналом.
Транзистор з вбудованим каналом.
Основою такого транзистора є кристал кремнію p - або n - типу провідності .
Для транзистора з n -типом провідності :
Uзи = 0 ; Ic1 ;
Uзи > 0 ; Ic2 > Ic1 ;
Uзи < 0 ; Ic3 < Ic1 ;
Uзи << 0 ; Ic4 = 0 .
Принцип дії .
Під дією електричного поля між стоком і витоком через канал будуть протікати
основні носії зарядів, тобто буде існувати струм стоку. При подачі на затвор поклади-
тельного напруги електрони як неосновні носії підкладки будуть притягатися в
канал. Канал збагатиться носіями заряду , і струм стоку збільшиться.
При подачі на затвор негативного напруги електрони з каналу будуть йти у
підкладку , канал обідниться носіями зарядів , і струм стоку зменшиться. при досить
великих напружених на затворі всі носії заряду можуть з каналу йти в підкладку , і
струм стоку стане рівним нулю.
Висновок: МОП - транзистори з вбудованим каналом можуть працювати як в режимі збагачення
ня , так і в режимі збіднення зарядів .
Транзистори з індукованим каналом.
Uз = 0 ; Ic1 = 0 ;
Uз < 0 ; Ic2 = 0 ;
Uз > 0 ; Ic3 > 0.
При напружених на затворі , рівних або менше нуля , канал відсутній , і струм стоку буде
дорівнює нулю. При позитивних напругах на затворі електрони , як не основні носите -
Чи заряду підкладки p - типу , будуть притягатися до затвору , а дірки будуть йти вглиб
підкладки. У результаті в тонкому шарі під затвором концентрація електронів перевищить кон-
центрацию дірок , тобто в цьому шарі напівпровідник поміняє тип своєї провідності . образу -
ється ( індукується ) канал , і в ланцюзі стоку потече струм.
Висновок: МОП - транзистори з індукованим каналом можуть працювати тільки в режимі обо-
збагачення .
МОП - транзистори володіють бόльшім вхідним опором , ніж транзистори з управ -
ляем переходом . Rвх = ( 1013 ÷ 1015 ) Ом.
4 ) Польові транзистори для ІМС РПЗУ . У інтегральних мікросхемах РПЗУ в
вигляді осередки для зберігання 1 біт інформації використовуються польові транзистори МНОП або
МОП - транзистори з плаваючим затвором. Абревіатура МНОП розшифровується слідую -
щим чином . М - метал , Н - сплав HSi3N4 , О - оксид металу , П - напівпровідник.
Принцип дії цих транзисторів заснований на тому , що в сильних електричних полях
електрони можуть проникати в діелектрик на глибину до 1 мкм.
МНОП -структура транзистора зображена на Рис. 106 .
Транзистори структури МНОП мають двошаровий діелектрик. Перший шар , завтовшки ме-
неї 1мкм - це окис кремнію , другий шар - товщиною кілька мікронів - нітрид кремнію.
Без програмування цей транзистор працює як звичайний МОП - транзистор і містить
логічну одиницю інформації .
Для програмування логічного нуля на затвор подають короткочасне напруга ( U =
25 ÷ 30В ) . Під дією цієї напруги електрони проходять шар окису малої товщини ,
але не можуть пройти шар нітриду кремнію і скупчуються на кордоні цих шарів. оскільки
напруга короткочасно , то вони залишаються на кордоні шарів цих діелектриків . залишати-
шись , електрони створюють об'ємний негативний заряд , який може зберігатися скільки
завгодно довго. За рахунок цього заряду виникає електричне поле , яке протидіє полю
затвора. Щоб індукувати канал в транзисторі , на затвор необхідно подавати більшу
напруга , щоб подолати дію поля об'ємного заряду. Це відповідає зрушенню сто -
козатворной характеристики вправо по осі напруг. При подачі на затвор імпульсу
запиту 5В канал индуцироваться не буде, струм стоку і струм в навантаженні відсутні, і на на -
грузке буде рівень логічного нуля .
Для стирання інформації на затвор подають також напруга 25 ÷ 30В , тільки отрицатель -
ної полярності .
Структура МНОП - транзисторів з плаваючим затвором.
У шарі оксиду кремнію створюється область з алюмінію або полікристалічного кремнію на
відстані менше 1 мкм від напівпровідника ( дивіться Рис . 108).
Принцип дії МОП - транзисторів з плаваючим затвором точно такий же , як у транзит-
сторов МНОП , тільки при програмуванні електрони накопичуються в плаваючому затворі
з алюмінію або кремнію. Стирання інформації здійснюється ультрафіолетовим облуче -
ням .
Тиристори
Тиристором називається чотиришаровий напівпровідниковий прилад, що з послідовно-
вательно чергуються областей p - і n - типів провідності .
Перший вид тиристорів - це діністори .
діністоров - це діодні тиристори , або некеровані переключательние діоди.
Тріністори - це керовані переключательние діоди.
Сімістори - це симетричні тиристори , тобто тиристори із симетричною ВАХ .
Розглянемо ці прилади.
1 ) Пристрій і принцип дії діністоров .
2 ) Основні параметри тиристорів.
3 ) Тріністори .
4 ) Поняття про сімісторов .
1 ) Пристрій і принцип дії діністоров . Зовнішня p - область і висновок від
Зовнішня n - область і висновок від неї називається катодом. Внутрішні p - і n - області називають -
ся базами динистора . Крайні pn переходи називаються еміттерними , а середній pn перехід
називається колекторним . Подамо на анод «-» , а на катод «+». При цьому еміттерние перехо -
ди будуть закриті , колекторний відкритий. Основні носії зарядів з анода і катода НЕ
зможуть перейти в базу , тому через динистор буде протікати тільки маленький зворотний
струм , викликаний неосновними носіями заряду.
Якщо на анод подати «+» , а на катод «-» , емітерний переходи відкриваються , а колекторнийзакривається.
Діністори застосовуються у вигляді безконтактних перемикачів пристроїв , керованих
напругою .
Принцип дії .
Основні носії зарядів переходять з анода в базу 1 , а з катода - в базу 2 , де вони стано-
вятся неосновними і в базах відбувається інтенсивна рекомбінація зарядів , в результаті ко-
торою кількість вільних носіїв зарядів зменшується. Ці носії заряду підходять до
колекторному переходу , поле яких для них буде пришвидшує , потім проходять базу і
переходять через відкритий емітерний перехід , т. к. в базах вони знову стають основними.
Пройшовши емітерний переходи , електрони переходять в анод , а дірки - в катод , де вони вторинний-
але стають не основними і вдруге відбувається інтенсивна рекомбінація . В результаті
кількість зарядів , що пройшли через динистор , буде дуже мало і прямий струм також буде
дуже малий. При збільшенні напруги прямий струм незначно зростає , т. к. збільшуючи-
ється швидкість руху носіїв , а інтенсивність рекомбінації зменшується. При повели-
чении напруги до певної величини відбувається електричний пробій колектор -
ного переходу . Опір динистора різко зменшується , струм через нього сильно увеличи -
ється і падіння напруги на ньому значно зменшується. Вважається , що динистор
перейшов з вимкненого стану у включене .
2 ) Основні параметри тиристорів.
Напруга включення ( Uвкл ) - це напруга , при якому струм через динистор на -
чинает сильно зростати.
Струм включення ( Iвкл ) - це струм, відповідний напрузі включення.
Ток виключення ( Iвикл ) - це мінімальний струм через тиристор , при якому він
залишається ще у включеному стані.
Залишкова напруга ( Uост ) - це мінімальна напруга на тиристорі під вклю -
ченном стані.
Струм витоку ( Io ) - це струм через тиристор у вимкненому стані при заданому
напрузі на аноді .
Максимально допустима зворотна напруга ( Uобр.max ) .
Максимально допустимий пряме напруга ( Uпр.max ) .
Час включення ( tВКЛ ) - це час, за який напруга на тиристорі зменшиться
до 0,1 напруги включення.
Час включення ( tвикл ) - це час, за який тиристор переходить з включеного в
вимкнений стан .
3 ) Тріністори .
Тріністори можна включати при напружених , менших напруги включення динистора .
Для цього достатньо на одну з баз подати додаткову напругу таким чином , що -
б створюване їм поле збігалося за напрямком з полем анода на колекторному переході.
Можна подати струм управління на другу базу , але для цього на керуючий електрод необ-
димо подавати напругу негативної полярності щодо анода , і тому разли-
чають тріністори з керуванням по катоду і з управлінням по анода.
На малюнках 114 - 119 зображені умовні графічні позначення ( УДО ) розглядає-
екпортувати в даній темі приладів. На малюнку 114 - УДО динистора , на 115 - тринистора з управ -
ленням по катоду , на 116 - тринистора з керуванням по анода , на 117 - некерованого си-
містора , на 118 - симистора з керуванням по анода, і на 119 , відповідно, симистора з
управлінням з катода.
Маркування розшифровується так :
КН102Б - кремнієвий динистор ; КУ202Е - кремнієвий тринистор . Перша буква «К» позна -
чає матеріал кремній. Друга - тип приладу - динистор або тринистор . Третя група -
тризначний цифровий код , і четверта група , розшифровуються так само , як і всі рассмот -
ренние раніше напівпровідникові прилади.
4 ) Поняття про сімісторов .
Подамо позитивне напруга на області p1 , n1 , а негативне на області p2, n3 .
Перехід П1 закритий, і вимикається з роботи область n1 . Переходи П2 і П4 відкриті і ви -
полняют функцію емітерний переходів . Перехід П3 закритий і виконує функцію колектив-
торного переходу .
Таким чином , структура симистора представлятиме собою області p1 , n2 , p2, n3 , де p1
буде виконувати функції анода , а n3 - катода при прямому включенні. подамо напруга
плюсом на області p2, n3 , а мінусом на області p1 , n1 . Перехід П4 закриється і вимкне з
роботи область n3 . Переходи П1 і П3 відкриються і будуть грати роль емітерний переходів .
Перехід П2 закриється і буде виконувати функцію колекторного переходу .
Структура симистора буде мати вигляд p2- n2 , p1 - n1 , де область p2, буде анодом , а
n1 - катодом. У результаті буде виходити структура в прямому включенні , але при зворотному
напрузі. ВАХ буде мати вигляд , зображений на Рис. 121 .
Електровакуумні прилади
Електровакуумний діод
1 ) Електровакуумний діод , пристрій і принцип дії електроваку -
розумного діода
2 ) ВАХ та основні параметри електровакуумного діода
1 ) Електровакуумний діод , пристрій і принцип дії електроваку -
розумного діода. Електровакуумними приладами називаються електронні прилади , принцип
дії яких заснований на русі електронів у вакуумі при роботі в різних елек -
тричних полях. Принцип дії всіх електровакуумних приладів заснований на явищі
електронної емісії .
Термоелектронна емісія .
Автоелектронна (або « холодна» ) емісія - це емісія під впливом сильних
електричних полів.
Фотоелектронна емісія .
Вторинна емісія
Якщо електрон володіє достатньою швидкістю і кінетичної енергією і вдаряється при
цьому в поверхню матеріалу , він віддає свою енергію електронам матеріалу , які вильоту -
тануть з його поверхні. Причому кожен ударяющий електрон , який називають первинним
електроном , може « вибивати» з поверхні матеріалу кілька вторинних електронів.
Вакуумний діод має два основних електроди - катод і анод. Катод - це електрод , з кото-
рого відбувається термоелектронна емісія . Катоди бувають двох видів - з прямим і косвен -
вим напруженням . Катоди з непрямим напруженням зазвичай виконуються у вигляді трубки , усередині кото-
рій розташована спіраль , звана ниткою напруження . На неї подається напруга напруження , вона
розігріває катод для отримання термоелектродного емісії . Катоди прямого напруження - це ка -
тоди , у яких напруга напруження подається безпосередньо на катод .
Анод - це електрод , що знаходиться зазвичай під позитивним потенціалом , до якого
прагнуть електрони , що вилетіли з катода .
Принцип дії .
При подачі на анод позитивного напруги між катодом і анодом створюється прискорюю -
щее електричне поле для електронів , що вилітають з катода . Вони прилітають до анода , і че-
рез діод протікає прямий струм анода Ia. При подачі на анод негативної напруги відно-
сительно катода для електронів , що вилітають з катода , утворюється гальмуючий електричного
ське поле , вони будуть притискатися до катода і струм анода буде дорівнює нулю. Відмінність електрових -
куумних діодів від напівпровідникових полягає в тому , що зворотний струм у них повно -
стю відсутня.
2 ) ВАХ та основні параметри електровакуумного діода. ВАХ електровакуум -
ного діода зображена на Рис. 124 .
Нелінійний ділянку. Ток повільно зростає , що пояснюється протидією
полю анода об'ємного негативного електричного заряду , який утворюється
електронами , що вилітають з катода за рахунок емісії.
Лінійний ділянку. При досить сильному електричному полі анода об'ємний елек -
тріческое заряд зменшується і не має значного впливу на поле анода .
Ділянка насичення. Зростання струму при збільшенні напруги сповільнюється , а потім повно -
стю припиняється т. к. всі електрони , що вилітають з катода , досягають анода .
ВАХ анода прямо пропорційно залежить від напруги напруження ( дивіться Рис . 125).
Основні параметри діода.
Крутизна ВАХ .
Внутрішній опір
Максимально допустима зворотна напруга
Максимально допустима розсіює потужність
Pa.max = Ia.max ∙ Ua.max
Система маркування .
6 Д 20 П
1 2 3 4
Маркування являє собою систему позначень , яка містить чотири елементи :
1 . Напруга напруження , округлене до цілого числа.
2 . Тип електровакуумного приладу . Для діодів :
Д - одинарний діод .
X - подвійний діод , тобто містить два діоди в одному корпусі із загальним напруженням .
C - високовольтний діод або кенотрон .
3 . Порядковий номер розробки ЕВП .
4 . Конструктивне виконання .
1 ] С - скляний балон з пластмасовим цоколем (дуже старе виконання , не менше
ніж 24 мм - діаметр балона ) .
2 ] П - пальчикові лампи (скляний балон діаметром 19 або 22,5 мм з жорсткими
штирові висновками без цоколя ) .
3 ] Б - мініатюрна серія з гнучкими висновками і з діаметром корпусу менше 10мм .
4 ] А - мініатюрна серія з гнучкими висновками і з діаметром корпусу менш 6мм.
5 ] К - серія ламп в керамічному корпусі.
6 ] - четвертий елемент відсутній ( 6К4 ) - це говорить про відсутність металевого
корпусу.
Триод
1 ) Пристрій і принцип дії тріода
2 ) ВАХ та основні параметри тріода
1 ) Пристрій і принцип дії тріода . Тріодом називається електровакуумний
прилад , у якого крім анода і катода мається третій електрод , який називається сет-
кою.
Сітка в тріоді має вигляд спіралі і розташовується між анодом і катодом , ближче до катода .
УДО тріода зображено на Рис. 127 .
Розглянемо вплив сітки на роботу тріода .
1 ) Uc = 0 ; Ia1 > 0.
При напрузі на сітці , що дорівнює нулю , сітка не робить впливу на поле анода , і в
ланцюзі анода протікатиме струм.
2 ) Uc > 0 ; Ia2 > Ia1 ; Ic > 0.
При позитивних напругах на сітці між нею і катодом виникає поле сітки , лінії
напруженості якого спрямовані так само, як і у анода . Результуюче дію поля на
електрони посилюється , і струм анода зростає. Позитивно заряджена сітка перехоплюючи -
ет частина електронів , за рахунок чого виникає струм сітки Ic .
3 ) Uc < 0 ; Ia3 < Ia1 .
При подачі негативної напруги на сітку поле сітки протидіятиме полю
анода , за рахунок чого анодний струм зменшується.
4 ) Uc << 0 ; Ia4 = 0 .
Переводчик Google для бизнеса –Инструменты переводчикаПереводчик сайтовСлужба "Анализ рынков"
Отключить моментальный переводО Переводчике GoogleМобильная версияКонфиденциальностьСправкаОтправить отзыв
При досить великих негативних напругах на сітці між катодом і сіткою со-
здается настільки сильне гальмуючий електричне поле , що електрони , що вилітають з ка -
тода , будуть притискатися знову до катода і струм анода буде дорівнює нулю.
Напруга на сітці , при якому Ia стає рівним нулю , називається напругою
замикання або напругою відсічення .
Висновок: змінюючи напругу на сітці , можна управляти струмом анода , і тому сітка в тріоді
отримала назву керуючої .
Система маркування триодов аналогічна системі маркування електровакуумних діодів.
Певна буква у 2 групі показує , що даний прилад тріод . Буква C - одинарний
тріод , H - подвійний тріод .
2 ) ВАХ та основні параметри тріода .
Анодносеточная характеристика . Ia = f ( Uc ) при Ua = Const .
Анодна характеристика . Це залежність струму анода від напруги анода при посто -
янном напрузі на сітці .
4 . Проникність тріода .
Так як електроди тріода виконуються з металу , а між ними - вакуум , то в тріоді обра-
зуются три міжелектродні ємності. Вхідний сигнал на тріод подається між сіткою і като -
будинок , а вихідний сигнал знімається між анодом і катодом. Тому ємність сітка- катод на -
зиваєтся вхідний ємністю , ємність сітка- анод називається прохідний ємністю , так як
безпосередньо пов'язує вхід з виходом , ємність анод - катод називається вихідний ємністю. ці
ємності впливають на частотні властивості тріода . Найбільш сильний вплив робить прохід -
ная ємність.
Тетрод
1 ) Пристрій і схема включення тетрода
2 ) динатронного ефект
3 ) Променевий тетрод
1 ) Пристрій і схема включення тетрода . Одним з основних недоліків тріода
є невеликий коефіцієнт посилення ( зазвичай μ ≤ 30).
Для збільшення коефіцієнта посилення треба послабити вплив поля анода на катод порівня -
рівняно з впливом поля сітки. З цією метою між керуючою сіткою і анодом була введе-
на другому сітка , яка отримала назву екранної сітки.
Електровакуумний прилад, що складається з катода , анода і двох сіток , називається тетродом .
УДО тетрода зображено на малюнку 135 .
На екранну сітку подається строго постійне позитивне напруга , рівне 0,6 ÷ 0,8
напруги анода .
Uc2 = ( 0,6 ÷ 0,8 )
Поиск по сайту:
|